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刻蝕設備國產(chǎn)化率達到18%，比率處于逐年上升態(tài)勢（附報告目錄）

1、刻蝕設備行業(yè)概述

集成電路設備包括晶圓制造設備、封裝設備和測試設備等，晶圓制造設備的市場規(guī)模占比超過集成電路設備整體市場規(guī)模的80%。

相關(guān)報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《刻蝕設備行業(yè)細分市場深度調(diào)研與投資投資可行性分析報告（2020-2026年）》

晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設備?？涛g（Etch）是IC制造中相當重要的工藝，成本僅次于光刻（刻蝕20%，光刻30%），與光刻相聯(lián)系的圖形化處理。刻蝕，狹義上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。

按照原理不同，刻蝕可分為干法和濕法兩種，其中干法刻蝕工藝占比90%以上。干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，濕法刻蝕由于需要大量對人體和環(huán)境有害的腐蝕性化學試劑，逐步被干法刻蝕替代。

按被材料不同，刻蝕可分為硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕和金屬刻蝕等，其市場占比分別為47%、48%和3%。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅，接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。

2、全球刻蝕設備行業(yè)市場規(guī)模分析

隨著集成電路制造線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，互連層數(shù)增多，帶動刻蝕和鍍膜需求增多，從2013年之后，刻蝕設備在產(chǎn)線中價值占比顯著提升。目前，全球刻蝕設備市場以介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕為主，分別占比合約48%和47%，而金屬刻蝕僅3%，這與2010年后整個集成電路工藝從鋁互連（刻蝕鋁金屬）轉(zhuǎn)向銅互聯(lián)（刻蝕介質(zhì)）有關(guān)，金屬刻蝕與介質(zhì)刻蝕此消彼長。

先進制程及芯片微縮帶動設備需求，刻蝕行業(yè)迎增量。受限于193nm的浸沒式光刻機限制，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進的工藝發(fā)展，除了采用昂貴的EUV光刻機之外，14nm及以下的芯片制造很多都通過多重模板效應來實現(xiàn)制程微縮，刻蝕加工步驟增多。10nm制程是關(guān)鍵節(jié)點，相較于14nm，其刻蝕步驟為115步，增加77%，到5nm制程刻蝕步驟將是14nm的2.5倍及以上。

2014-2016年全球刻蝕設備市場規(guī)模處于60億美元左右震蕩態(tài)勢。2017、2018年增長率出現(xiàn)突破式增長，尤其是2017年增長率高達41%以上，到2018年市場規(guī)模創(chuàng)出新高，突破100億美元。預計未來幾年，全球刻蝕設備行業(yè)規(guī)模將處于穩(wěn)健增長趨勢。

2014-2018年全球刻蝕設備市場規(guī)模增長分析

資料來源：普華有策市場研究中心

3、全球刻蝕設備行業(yè)競爭格局分析

從全球市場分析，在需求增長較快的刻蝕設備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導體占據(jù)刻蝕設備市場份額半壁江山。泛林半導體市場份額約55%，東京電子其次，市占率約20%，應用材料與東京電子相當，市占率約19%。

4、刻蝕設備國產(chǎn)化程度分析

目前，刻蝕機國產(chǎn)化率達到18%，晶圓加工核心設備中國產(chǎn)化率占比最高的，且比率處于逐年上升態(tài)勢。中微公司和北方華創(chuàng)市場份額占比較大，國產(chǎn)化貢獻率較高。根據(jù)中芯國際、長江存儲和合肥睿力的招標情況看，從中微采購的刻蝕機臺數(shù)占整體刻蝕機臺采購比例約15-20%，逼近東京電子和應用材料，進步明顯。

相比國際企業(yè)來說，國產(chǎn)刻蝕設備品類還不夠完整，針對不同工藝的刻蝕設備逐步驗證和量產(chǎn)。中微國際大廠泛林半導體和應用材料可實現(xiàn)CCP和ICP、介質(zhì)/硅/金屬刻蝕、7nm及以上的全方位覆蓋，中微公司和北方華創(chuàng)尚未實現(xiàn)全覆蓋。中微介質(zhì)刻蝕設備較強，該企業(yè)5nm蝕刻設備已經(jīng)獲得批量訂單。客戶包括臺積電、三星、中芯國際等國內(nèi)外大廠，其用于多晶硅柵工藝的硅刻蝕設備正在驗證中。北方華創(chuàng)在介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕設備均由布局，用于淺槽隔離的介質(zhì)刻蝕設備已量產(chǎn)，硅刻蝕設備也已量產(chǎn)，金屬刻蝕設備也有布局，擁有中芯國際、華虹、華力等國內(nèi)一流客戶。

5、主要競爭企業(yè)分析

（1）泛林半導體

公司成立于1980年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：LRCX），主要從事半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括刻蝕設備、薄膜沉積設備、晶圓清洗設備、光致抗蝕設備等。泛林半導體于2001年在上海成立了全資子公司“泛林半導體設備技術(shù)（上海）有限公司”。

（2）東京電子

公司成立于1963年，系東京證券交易所上市公司（股票代碼：8035），主要從事半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括熱處理成膜設備、等離子刻蝕機、單晶圓沉積設備、表面處理設備、晶圓測試設備、涂膠機和顯影機等。

（3）應用材料

公司成立于1967年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT），主要從事半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括原子層沉積設備、化學薄膜沉積設備、電化學沉積設備、物理薄膜沉積設備、刻蝕設備、快速熱處理設備、離子注入機、化學機械拋光設備等。

（4）維易科

公司成立于1945年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：VECO），主要從事薄膜加工設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品或技術(shù)包括MOCVD設備、分子束外延、光刻設備等。

（5）愛思強

公司成立于1983年，系法蘭克福證券交易所上市公司（股票代碼：A0WMPJ），主要從事沉積系統(tǒng)設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括MOCVD設備、有機薄膜沉積設備、聚合物薄膜沉積設備、等離子體增強化學薄膜沉積設備和化學薄膜淀積設備等。

（6）北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)成立于2001年，系深圳證券交易所上市公司（股票代碼：002371），主要從事基礎(chǔ)電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務業(yè)務，主要產(chǎn)品包括刻蝕機、物理氣相沉積設備、化學氣相淀積設備、氧化爐、擴散爐、清洗機及鋰電極片裝備等半導體設備及零部件。

（7）中微公司

中微公司涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED生產(chǎn)、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設備領(lǐng)域，瞄準世界科技前沿，堅持自主創(chuàng)新。公司的等離子體刻蝕設備已在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進封裝中有具體應用。公司的MOCVD設備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列、國內(nèi)占領(lǐng)先地位的氮化鎵基LED設備制造商。