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AI技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)朝著高性能、大容量、智能化方向發(fā)展

1、半導(dǎo)體行業(yè)概況

半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲(chǔ)器芯片、邏輯芯片、模擬芯片、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。

根據(jù)掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi)，存儲(chǔ)器主要可分為易失性存儲(chǔ)器（RAM）和非易失性存儲(chǔ)器（ROM），其中易失性存儲(chǔ)器（RAM）主要包含動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）；非易失性存儲(chǔ)器主要包括可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM/EEPROM）、閃存存儲(chǔ)器（Flash）和可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）等。

行業(yè)分類

資料來(lái)源：普華有策

2、行業(yè)市場(chǎng)容量

（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器總體市場(chǎng)規(guī)模

全球存儲(chǔ)市場(chǎng)呈現(xiàn)周期性波動(dòng)，2016至2018年市場(chǎng)規(guī)模從768億美元增長(zhǎng)至1580億美元。2019年受貿(mào)易摩擦及需求放緩影響，市場(chǎng)下降至1064億美元。2020年后，受需求回暖和供應(yīng)鏈緊張影響，市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)，2021年達(dá)到1538億美元。但2022年受宏觀不利因素及全球經(jīng)濟(jì)疲軟影響，市場(chǎng)下降至1298億美元，下降15.6%。2023年進(jìn)一步下降至896億美元。進(jìn)入2024年，隨著終端應(yīng)用復(fù)蘇和技術(shù)發(fā)展，存儲(chǔ)市場(chǎng)有望恢復(fù)，規(guī)模達(dá)到約1298億美元，同比增長(zhǎng)44.9%。

2019-2024年存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

（2）NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模及占有率

NANDFlash是非易失性存儲(chǔ)的一種，是大容量存儲(chǔ)器當(dāng)前應(yīng)用最廣和最有效的解決方案。據(jù)IDC統(tǒng)計(jì)，全球NANDFlash的市場(chǎng)規(guī)模在2022年和2023年連續(xù)兩年保持下修后預(yù)計(jì)2024年有望達(dá)466億美元，同比增長(zhǎng)30%。

2019-2024年NANDFlash的市場(chǎng)規(guī)模及增速

資料來(lái)源：普華有策

2023年第四季度，三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光五家公司占據(jù)了全球NANDFlash市場(chǎng)95.4%的份額。SK海力士收購(gòu)英特爾NANDFlash業(yè)務(wù)已獲批準(zhǔn)，市場(chǎng)集中度將進(jìn)一步提高。

NANDFlash全球市場(chǎng)占比（%）

資料來(lái)源：普華有策

（3）DRAM市場(chǎng)規(guī)模及占比情況

DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，DRAM的特征是讀寫速度快、延遲低，但斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，常用于計(jì)算系統(tǒng)的運(yùn)行內(nèi)存。DRAM是存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模最大的芯片，2023年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模約為506億美元，同比下降37.4%。2024年，伴隨終端需求復(fù)蘇，上游減產(chǎn)漲價(jià)策略延續(xù)，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模增加至約746億美元，同比增長(zhǎng)超過(guò)40%。

2018-2024年DRAM市場(chǎng)規(guī)模及增速

資料來(lái)源：普華有策

DRAM全球市場(chǎng)相較于NANDFlash更為集中，三星、SK海力士和美光三大廠商2023年第四季度壟斷了全球96.5%的市場(chǎng)份額。

3、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)在波動(dòng)中增長(zhǎng)

自2022年起，宏觀經(jīng)濟(jì)走弱導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)需求疲軟，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入下行周期，2022年規(guī)模為1,297.7億美元，同比下降15.6%，2023年降至896億美元，同比下降31%。2024年市場(chǎng)反彈，規(guī)模約為1,298億美元，同比增長(zhǎng)40%以上。盡管短期承壓，但物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)推動(dòng)數(shù)據(jù)需求增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將增至2,630億美元，整體行業(yè)將在波動(dòng)中增長(zhǎng)。

（2）下游需求多點(diǎn)開花，AI推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等多個(gè)行業(yè)，多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，推動(dòng)存儲(chǔ)器行業(yè)擴(kuò)容。AI技術(shù)推動(dòng)了全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的需求升級(jí)與技術(shù)創(chuàng)新，催生對(duì)高性能、低延遲存儲(chǔ)解決方案的巨大需求，并促進(jìn)了跨領(lǐng)域合作。未來(lái)，隨著AI技術(shù)的普及，半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)將持續(xù)擴(kuò)展，朝著高性能、大容量、智能化方向發(fā)展。

（3）國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇

目前，國(guó)產(chǎn)DRAM和NANDFlash芯片市場(chǎng)份額低于5%，但隨著中國(guó)“互聯(lián)網(wǎng)+”和新一代信息技術(shù)的推動(dòng)，數(shù)字化、智能化進(jìn)程加速，AI、短視頻、游戲等應(yīng)用的普及，存儲(chǔ)芯片需求迅速增長(zhǎng)。中國(guó)已成為全球最大消費(fèi)電子市場(chǎng)，5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新技術(shù)的應(yīng)用也帶動(dòng)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器需求。長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫等本土廠商在中國(guó)市場(chǎng)的推動(dòng)下，市場(chǎng)份額逐步提升，存儲(chǔ)器研發(fā)封測(cè)一體化廠商如佰維存儲(chǔ)也迎來(lái)了發(fā)展機(jī)遇。

4、行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)

主要企業(yè)情況

資料來(lái)源：普華有策

5、影響行業(yè)發(fā)展的有利和不利因素

（1）有利因素

1）政府大力支持行業(yè)發(fā)展，不斷加大投入力度

2）AI等下游應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展拉動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng)

3）國(guó)產(chǎn)化加速推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展

（2）不利因素

1）市場(chǎng)供需的變化導(dǎo)致原材料價(jià)格波動(dòng)大，進(jìn)而帶來(lái)一定的不利因素。

2）在生成式AI、機(jī)器學(xué)習(xí)等新興技術(shù)的帶動(dòng)下，全行業(yè)技術(shù)更迭快

3）國(guó)內(nèi)技術(shù)人才緊缺是制約存儲(chǔ)行業(yè)快速發(fā)展的瓶頸之一

6、本行業(yè)的壁壘

（1）技術(shù)壁壘

先進(jìn)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和制造涵蓋晶圓設(shè)計(jì)、主控芯片、固件研發(fā)及封裝測(cè)試等領(lǐng)域。隨著科技進(jìn)步，存儲(chǔ)器的速度、容量和能耗要求不斷提高，技術(shù)壁壘加大。國(guó)內(nèi)廠商逐步提升研發(fā)和生產(chǎn)能力，面臨較高技術(shù)門檻，技術(shù)提升成為企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。

（2）品牌壁壘

存儲(chǔ)市場(chǎng)是一個(gè)高度專業(yè)化的行業(yè)，依賴技術(shù)、質(zhì)量、服務(wù)和品牌發(fā)展。先行者通過(guò)市場(chǎng)推廣可以建立較高的知名度和品牌認(rèn)同感。品牌在用戶選擇存儲(chǔ)產(chǎn)品時(shí)是關(guān)鍵參考，客戶更傾向于選擇專業(yè)實(shí)力強(qiáng)、知名度高的品牌。品牌的積累需要研發(fā)投入和長(zhǎng)期合作，因此行業(yè)具有較高的品牌壁壘。

（3）人才壁壘

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)對(duì)高素質(zhì)研發(fā)人才需求大，但我國(guó)起步較晚，復(fù)合型人才稀缺。技術(shù)人才需要多年經(jīng)驗(yàn)積累，且隨著存儲(chǔ)芯片的迭代升級(jí)，行業(yè)對(duì)人才的需求不斷增加，優(yōu)秀人才獲取難度加大，形成了一定的人才壁壘。

（4）資金壁壘

集成電路行業(yè)的研發(fā)投入大、周期長(zhǎng)，從芯片設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要投入大量資金。若無(wú)足夠的資金實(shí)力維持高額的各類研發(fā)支出，新進(jìn)入者則無(wú)法和已取得一定市場(chǎng)份額的優(yōu)勢(shì)企業(yè)進(jìn)行有力的競(jìng)爭(zhēng)。因此，集成電路行業(yè)存在一定的資金壁壘。

（5）產(chǎn)業(yè)鏈壁壘

存儲(chǔ)器企業(yè)的生存和發(fā)展依賴于與上下游產(chǎn)業(yè)鏈的緊密合作。在上游，需要與存儲(chǔ)晶圓原廠建立合作關(guān)系，確保產(chǎn)品質(zhì)量、控制成本和穩(wěn)定產(chǎn)能；在下游，需獲得CPU/SoC廠商的認(rèn)證支持和終端客戶的驗(yàn)證，并拓展客戶和市場(chǎng)渠道。對(duì)于新進(jìn)入者，已有的穩(wěn)定產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈構(gòu)成了其進(jìn)入壁壘。

《2025-2031年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)調(diào)研及投資可行性分析報(bào)告》涵蓋行業(yè)全球及中國(guó)發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場(chǎng)規(guī)模，產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場(chǎng)需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)集中度、重點(diǎn)企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動(dòng)因素、市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)，投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。同時(shí)北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告、專精特新小巨人認(rèn)證、市場(chǎng)占有率報(bào)告、十五五規(guī)劃、項(xiàng)目后評(píng)價(jià)報(bào)告、BP商業(yè)計(jì)劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍(lán)白皮書、國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)認(rèn)證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。（PHPOLICY:MJ）